[发明专利]发光器件

摘要

本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括：第一半导体层；第二半导体层；有源层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及第一光提取层，设置在所述第一半导体层上，并且包括氮化物半导体层。这里，所述第一光提取层包括多个第一层。所述多个第一层的折射率随着离所述第一半导体层的距离增大而减小。本发明能够使发光器件的光提取效率得以提高。

主权项

1.一种发光器件，包括：第一半导体层；第二半导体层；有源层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；第一光提取层，设置在所述第一半导体层上并且包括第一氮化物半导体；以及第二光提取层，设置在所述第一光提取层与所述第一半导体层之间，并且包括第二氮化物半导体，其中所述第一光提取层包括突出部分和凹下部分，每个突出部分具有多个第一层，所述多个第一层层叠形成棱锥结构，并且所述多个第一层中所述突出部分的折射率随着离所述第一半导体层的距离增大而减小，其中所述第二光提取层包括多个第二层，并且每个所述第二层是平坦的而不包括不平坦部分，其中所述多个第二层的折射率随着离所述第一半导体层的距离增大而减小，其中所述多个第一层的突出部分设置在所述第二光提取层上方，以及其中所述多个第一层的折射率彼此不同，并且每个所述突出部分的侧壁相对于所述第二光提取层的上表面之间的角度是58°至65°；其中所述第一氮化物半导体包括铝，并且所述多个第一层之一中的第一氮化物半导体中铝的量不同于所述多个第一层之另一中的第一氮化物半导体中铝的量；所述多个第一层中铝的量随着离所述第一半导体层的距离增大而增大；以及在相邻的第一层中铝的量的差值是10％或更小；其中所述发光器件还包括：第一电极，设置在所述第二光提取层上，其中所述第一电极的下表面与所述第二光提取层相接触，以及其中所述多个第一层中每个层的厚度是λ/(4*n)的倍数，这里，λ是光的波长，并且n是所述多个第一层中每个层的折射率。