[发明专利]半导体器件和驱动系统有效
| 申请号： | 201410344683.2 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104300962B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 深海郁夫 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和驱动系统。输出MOS晶体管具有与电源连接的漏极和与输出端子连接的源极。短路MOS晶体管具有与输出端子连接的源极。短路MOS晶体管被形成在与电源连接的半导体衬底中。开关器件被形成在半导体衬底中形成的半导体区域中，并且包含与输出MOS晶体管的栅极连接的第一扩散层和被形成在半导体区域中并且与短路MOS晶体管的漏极连接的第二扩散层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 驱动 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：输出晶体管，所述输出晶体管具有与电源连接的第一端子和与输出端子连接的第二端子，所述输出端子与负载连接；驱动电路，所述驱动电路被配置为响应于控制信号驱动所述输出晶体管的栅极；短路MOS晶体管，所述短路MOS晶体管具有与所述输出端子连接的源极并且被配置为响应于所述控制信号操作；第一开关器件，所述第一开关器件被连接在所述短路MOS晶体管的漏极和所述输出晶体管的控制端子之间；以及控制电路，其中，所述短路MOS晶体管被形成在与所述电源连接的半导体衬底上，其中，所述第一开关器件包括：第一半导体区域，所述第一半导体区域被形成在所述半导体衬底中；第一扩散层，所述第一扩散层被形成在所述第一半导体区域中，并且与所述输出晶体管的所述控制端子连接；以及第二扩散层，所述第二扩散层被形成在所述第一半导体区域中，并且与所述短路MOS晶体管的所述漏极连接，其中，所述第一开关器件基于所述第一半导体区域的电压被导通或者截止，其中，控制电路被形成为响应于所述控制信号控制所述第一半导体区域的电压，并且其中，所述控制电路包括：负载电阻，所述负载电阻被连接在所述输出端子和连接节点之间，所述连接节点与所述第一半导体区域连接；和第二开关器件，所述第二开关器件被连接在所述连接节点和接地端子之间，并且被配置为响应于所述控制信号来导通或者截止。
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