[发明专利]一种具有绝热沟槽的MEMS气体传感器及其加工方法有效
| 申请号： | 201410345482.4 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104165902B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 沈方平;张珽;祁明锋;刘瑞;丁海燕;谷文 | 申请（专利权）人： | 苏州能斯达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及气体检测领域，公开了一种具有绝热沟槽的MEMS气体传感器及其加工方法，包括单晶硅衬底；绝热沟槽，形成于所述单晶硅衬底的上表面且具有一定深度，绝热沟槽包括一组或多组沟槽，其中每组沟槽包括多个平行排列的沟槽；下绝缘层，覆盖绝热沟槽及所述单晶硅衬底的上表面；以及设置于下绝缘层上方的加热层和上绝缘层。本发明的绝热沟槽可以稳定地支撑下绝缘层薄膜及其上的加热板和上绝缘层，避免器件在高温工作时下绝缘层变形翘曲导致的加热层脱落。同时，所述绝热沟槽的沟槽表面覆有二氧化硅薄膜，可以起到更好的保温隔热效果，降低功耗，提高气体传感器的探测灵敏度和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 绝热 沟槽 mems 气体 传感器 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种具有绝热沟槽的MEMS气体传感器，其特征在于，包括：单晶硅衬底(1)；绝热沟槽(2)，形成于所述单晶硅衬底(1)的上表面且具有一定深度，所述绝热沟槽(2)包括一组或多组沟槽，其中每组沟槽包括多个平行排列的沟槽；所述绝热沟槽(2)的沟槽深度为20‑100μm，宽度为300‑1000nm，多个平行排列的沟槽的间距为1‑5μm；下绝缘层(3)，覆盖所述单晶硅衬底(1)的上表面；加热层(4)，设置于所述下绝缘层(3)的上表面，且所述加热层(4)位于所述绝热沟槽(2)的正上方区域内；上绝缘层(5)，覆盖所述加热层(4)的上表面；气体敏感层(9)，设置于所述上绝缘层(5)的上表面，且所述气体敏感层(9)位于所述加热层(4)的正上方区域内。
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