[发明专利]一种半导体器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及制备方法，通过制备一氮化硅层形成对栅氧化层的保护作用，进而保证在进行后续的氧化层侧壁形成及离子注入的工艺中，不会对栅氧化层造成影响，避免栅氧化层的“鸟嘴”的产生，并有效改善OED效应；同时还可有效降低衬底的掺杂浓度，尤其在源漏极底部区域的掺杂浓度，有效改善Cj0(结电容)以及fT(截至频率)；进一步的，采用本发明提供的技术方案还可有效改善LDD掺杂区结的形貌及Eymax(最大漏电场)，进而提高热载流子效应，带来了器件性能的提升。本发明制程变动小，实用性较强，可广泛应用于各自半导体器件领域的制备工艺中。

主权项

1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，并对所述衬底进行掺杂及退火处理形成阱区；在衬底的上方自下而上依次形成第一氮化物层、第一氧化物层及第二氮化物层；对所述第二氮化物层、第一氧化物层及第一氮化物层进行刻蚀，并停止在所述衬底的上表面，在所述第二氮化物层、第一氧化物层及第一氮化物层中形成沟槽；选择性生长一层栅氧化层将所述沟槽底部进行覆盖，并填充栅极材料层充满所述沟槽；所述第一氮化物层的厚度大于或等于所述栅氧化层厚度；去除剩余的第二氮化物层及剩余的第一氧化物层；在所述栅极材料层暴露的表面制备一层第二氧化物层；栅极侧墙及源漏区的形成工艺；采用如下工艺形成所述栅极侧墙：沉积一层侧墙薄膜将第一氮化物层及第二氧化物层的表面予以覆盖；进行光刻工艺和干法刻蚀工艺去除部分所述侧墙薄膜、部分所述第一氮化物层及位于所述栅极材料层上方的第二氧化物层；采用各向异性刻蚀工艺对剩余的侧墙薄膜及剩余的第一氮化物进行减薄，形成所述栅极侧墙。