[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置，本发明的课题在于提供一种使用具有稳定的电特性的晶体管来进行稳定的工作的显示装置。当应用以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管来制造显示装置时，至少在应用于驱动电路的晶体管上进一步配置栅电极。当制造以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管时，对氧化物半导体层进行用来实现脱水化或脱氢化的加热处理，以减少存在于以上下接触的方式设置的栅极绝缘层及保护绝缘层与氧化物半导体层的界面的水分等杂质。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底上的第一导电层；所述第一导电层上的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的第二导电层和第三导电层；所述第二导电层和所述第三导电层上的第三绝缘层；所述第三绝缘层上的第四导电层；以及所述第四导电层上的第四绝缘层，其中，所述第一导电层包括能够用作晶体管的第一栅电极的区域，其中，所述第一绝缘层包括能够用作所述晶体管的第一栅极绝缘层的区域，其中，所述第二绝缘层包括能够用作沟道保护层的区域；其中，所述第二导电层包括能够用作所述晶体管的源电极和漏电极中的一个的区域，其中，所述第三导电层包括能够所述晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个的区域，其中，所述第三导电层与像素电极电连接，其中，所述第三绝缘层包括能够用作所述晶体管的第二栅极绝缘层的区域，其中，所述第四导电层包括能够用作所述晶体管的第二栅电极的区域，其中，所述第四导电层包括具有透光性的导电层，其中，所述第四导电层包括与具有遮光性的层重叠的区域，其中，所述像素电极具有透光性，并且其中，所述第三绝缘层覆盖未被所述第三导电层或所述第四导电层覆盖的所述氧化物半导体层的侧面。