[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种制造薄膜晶体管的方法，包含下列步骤：形成闸极于基板上；形成闸极绝缘层于闸极上；形成图案化半导体层于闸极绝缘层上；形成源极于图案化半导体层上；氧化源极的外围部份以形成氧化层，其中氧化层覆盖源极及部分的图案化半导体层；形成保护层与氢离子，其中保护层覆盖氧化层与图案化半导体层；以及以氢离子掺杂未被氧化层覆盖的图案化半导体层，以形成汲极。本发明亦提供一种薄膜晶体管。

主权项

1.一种薄膜晶体管，其特征在于：其包含：一基板；一闸极，位于该基板上；一闸极绝缘层，位于该闸极上；一结构层，位于该闸极绝缘层上，该结构层包含一半导体层以及一汲极，该汲极与半导体层相邻连接；一源极，位于部分的该半导体层上；一氧化层，覆盖该源极与未被该源极覆盖的该半导体层；以及一保护层，位于该汲极与该氧化层上，其中，该氧化层的厚度小于3μm；氧化层隔开源极与汲极，源极与汲极之间的区域即为TFT的信道，氧化层的厚度即为TFT的信道的长度。