[发明专利]抗外磁干扰的方法及使用该方法的磁传感芯片在审

专利信息
申请号: 201410346689.3 申请日: 2014-07-21
公开(公告)号: CN104101366A 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 陈全;钟政;楼永伟;汪飞;高彬;李武华;陈潼;茅晓捷;王浩军;陈荧;谢明 申请(专利权)人: 浙江巨磁智能技术有限公司
主分类号: G01D3/032 分类号: G01D3/032
代理公司: 上海京沪专利代理事务所(普通合伙) 31235 代理人: 周晓玲
地址: 314031 浙江省嘉兴市昌盛南*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种抗外磁干扰的方法,包括设置磁传感芯片内部由四个磁传感单元及一根检测导线组成,其中,所述四个磁传感单元呈长方形阵列排列,所述检测导线平行于所述四个磁传感单元所在平面,所述检测导线距所述各磁传感单元的距离相等;然后由各磁传感单元探测检测导线信号;与此同时,外磁干扰在各磁传感单元的输出经差分放大单元后被抑制。本发明还涉及使用该抗外磁干扰方法的磁传感芯片。本发明的有益效果在于:通过集成在芯片内的四个磁传感单元间的差分结构,较传统的电磁屏蔽方法,改善了传感器抗电磁干扰的效果,减小了传感器的尺寸。
搜索关键词: 抗外磁 干扰 方法 使用 传感 芯片
【主权项】:
一种抗外磁干扰的方法,其特征在于:设置磁传感芯片内部由四个磁传感单元及一根检测导线组成,其中,所述四个磁传感单元呈长方形阵列排列,所述检测导线平行于所述四个磁传感单元所在平面,所述检测导线距所述各磁传感单元的距离相等;然后由各磁传感单元探测检测导线信号;与此同时,第一磁传感单元与第三磁传感单元、第二磁传感单元与第四磁传感单元、第一磁传感单元与第四磁传感单元、第二磁传感单元及第三磁传感单元检测到外磁干扰的输出,并分别作为差分放大单元的共模输入,经差分放大单元后被抑制。
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