[发明专利]一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元有效
| 申请号： | 201410346929.X | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN104123961A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李聪;李建成;尚靖;李文晓;王震;王宏义;谷晓忱;郑黎明;李浩 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学;湖南晟芯源微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 胡伟华 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元，包括控制管、隧穿管、读取管以及选择管，控制管和隧穿管均采用改进型N阱电容实现，读取管采用NMOS晶体管或本征管实现，选择管采用NMOS晶体管实现，控制管、隧穿管和读取管三管的栅极并接，作为存储电荷的浮栅，该浮栅与外界通过绝缘层隔离，所述的控制管驻留在第一个N阱中，隧穿管驻留在第二个N阱中，读取管驻留在P衬底或第一个P阱中，选择管驻留在第一个P阱中，所述改进型N阱电容是在栅极两侧的N阱中分别掺杂N+类型和P+类型的杂质，形成N+区域和P+区域，同时栅极多晶为N+类型的杂质注入。本发明提出了改进型N阱电容。其在实现与标准CMOS工艺兼容的同时，提高存储单元的擦写效率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 改进型 电容 单栅非易失 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元，其特征在于：包括控制管、隧穿管、读取管以及选择管，控制管和隧穿管均采用改进型N阱电容实现，读取管采用NMOS晶体管或本征管实现，选择管采用NMOS晶体管实现，控制管、隧穿管和读取管三管的栅极并接，作为存储电荷的浮栅，该浮栅与外界通过绝缘层隔离，所述的控制管驻留在第一个N阱中，隧穿管驻留在第二个N阱中，读取管驻留在P衬底或第一个P阱中，选择管驻留在第一个P阱中，所述改进型N阱电容是在栅极两侧的N阱中分别掺杂N+类型和P+类型的杂质，形成N+区域和P+区域，同时栅极多晶为N+类型的杂质注入。
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