[发明专利]双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管

摘要

本发明涉及一种双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在其下层为N+型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N+型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N+型的掺杂多晶硅层，其特点是所述硅衬底片的N型高电阻率层分为上下两层，N型高电阻率层的上层的电阻率高于N型高电阻率层的下层的电阻率；下层的电阻率为2‑9Ω·cm；下层的厚度为13‑40μm。本发明的优点是能用较小管芯做较高的功率，抗冲击能力强，具有高性价比和高可靠性的功效。

主权项

一种双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在所述联栅晶体管的下层为N+型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N+型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N+型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每个发射区的下面有P型的基区，基区的侧下面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的P+型的槽形栅区，槽形栅区中的每条槽的底面和侧面都覆盖着绝缘层，栅区与栅极金属层相连，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：所述硅衬底片的N型高电阻率层分为上下两层，N型高电阻率层的上层的电阻率高于N型高电阻率层的下层的电阻率；所述硅衬底片的N型高电阻率层的下层的电阻率为2‑9Ω·cm；所述硅衬底片的N型高电阻率层的下层的厚度为13‑40μm；所述硅衬底片的N+型低电阻率层的电阻率小于0.1Ω·cm；所述N+型的高掺杂浓度的发射区与该发射区的上面相连接的N+型的掺杂多晶硅层的接触孔的宽度大于1μm。