[发明专利]图像传感器的晶圆级封装方法和图像传感器封装结构有效
申请号: | 201410347689.5 | 申请日: | 2014-07-21 |
公开(公告)号: | CN104078479B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 邓辉 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 吴圳添,骆苏华 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种图像传感器的晶圆级封装方法和图像传感器封装结构。其中所述图像传感器的晶圆级封装方法包括提供内嵌有若干透明基片的封装基板和包含若干图像传感器芯片的图像传感器晶圆;粘合所述封装基板与所述图像传感器晶圆,其中,所述透明基片对应所述图像传感器芯片的感光区,粘性材质覆盖所述图像传感器芯片的焊盘区域;对所述图像传感器晶圆进行背面布线工艺和凸点工艺;对所述封装基板进行减薄,切割所述封装基板与所述图像传感器晶圆,形成独立的封装结构。所述封装方法步骤简单,简化了封装工艺,并且减小了封装结构的厚度。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 晶圆级 封装 方法 结构 | ||
【主权项】:
一种图像传感器的晶圆级封装方法,包括:提供内嵌有若干透明基片的封装基板和包含若干图像传感器芯片的图像传感器晶圆,所述封装基板具有凹槽,所述凹槽底部的部分为封闭结构;粘合所述封装基板与所述图像传感器晶圆,其中,所述透明基片对应所述图像传感器芯片的感光区,粘性材质覆盖所述图像传感器芯片的焊盘区域,所述透明基片被粘合的所述封装基板与所述图像传感器晶圆包覆;对所述图像传感器晶圆进行背面布线工艺和凸点工艺;对所述封装基板进行减薄,减薄至所述封闭结构被完全去除,重新暴露所述透明基片,切割所述封装基板与所述图像传感器晶圆,形成独立的封装结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的