[发明专利]一种ZnO/Ag异质纳米阵列结构材料、制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201410348455.2 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN104084201A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 吴正翠;王洪;薛业静;吴亚琴 | 申请（专利权）人： | 安徽师范大学 |
| 主分类号： | B01J23/66 | 分类号： | B01J23/66;C02F1/30 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 张巧婵 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种ZnO/Ag异质纳米阵列结构材料、制备方法及其应用。本发明与现有技术相比，通过简单的低温化学液相沉积法在锌片基底上合成了ZnO纳米棒/Ag纳米片异质纳米阵列结构。本发明提供的ZnO/Ag异质纳米阵列结构光催化剂具有催化活性高以及工艺简单、成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno ag 纳米 阵列 结构 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种ZnO/Ag异质纳米阵列结构材料，其特征在于，直径为250nm的ZnO纳米棒上附着尺寸为30‑40nm的Ag纳米片。
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