[发明专利]反应性离子蚀刻在审
| 申请号： | 201410349234.7 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104326438A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | T.霍克;M.韦纳布莱斯;I.斯特兰;R.埃利 | 申请（专利权）人： | 大西洋惯性系统有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;姜甜 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明涉及反应性离子蚀刻。公开了一种反应性离子蚀刻基板46以形成至少第一和第二蚀刻形态(42，44)的方法。所述第一蚀刻形态(42)具有比所述第二蚀刻形态(44)更大的纵横比(深度:宽度)。在第一蚀刻阶段，蚀刻所述基板(46)以便只将所述第一形态(42)蚀刻至预定深度。此后在第二蚀刻阶段，蚀刻所述基板(46)以便将所述第一和所述第二形态(42，44)均蚀刻至各自的深度。可贴掩模(40)以限定在形状上与所述形态(42，44)相对应的孔口。在所述第一蚀刻阶段期间用第二保护层(50)选择性掩蔽所述基板(46)中要产生所述第二蚀刻形态(44)的区域。然后在所述第二蚀刻阶段之前去除所述第二保护层(50)。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 离子 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种反应性离子蚀刻基板以形成至少第一和第二蚀刻形态的方法，其中所述第一蚀刻形态具有比所述第二蚀刻形态更大的纵横比(深度:宽度)，所述方法包括以下步骤：在第一蚀刻阶段，蚀刻所述基板以便只将所述第一形态蚀刻至预定深度；此后在第二蚀刻阶段，蚀刻所述基板以便将所述第一和所述第二形态均蚀刻至各自的深度。
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