[发明专利]一种控制氢气流量N型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法

摘要

本发明涉及一种控制氢气流量N型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C3H8和SiH4；将高纯N2用作N型掺杂源通入反应室中；当第一层N型掺杂层生长结束后，停止向反应室通入SiH4、C3H8和高纯N2并保持1min，其间将H2流量由60L/min降低至40L/min；之后继续向反应室通入SiH4、C3H8和高纯N2生长第二层N型掺杂层。

主权项

一种控制氢气流量N型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃‑1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C3H8和SiH4；将高纯N2用作N型掺杂源通入反应室中；当第一层N型掺杂层生长结束后，停止向反应室通入SiH4、C3H8和高纯N2并保持1min，其间将H2流量由60L/min降低至40L/min；之后继续向反应室通入SiH4、C3H8和高纯N2生长第二层N型掺杂层；(5)当达到设定的外延生长时间后，停止生长，在反应室继续通入氢气，使衬底片在氢气流中降温；(6)当温度降低到700℃以下后，再次将反应室抽成真空，然后缓慢充入氩气，使衬底片在氩气环境下自然冷却到室温。