[发明专利]采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法有效
| 申请号： | 201410350073.3 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104098330A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 毛朝梁;姚春华;曹菲;陈建和;王根水;董显林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/47;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法，将经烧结得到的钛酸锶钡陶瓷在氧气气氛下退火，退火温度为800～1250℃，退火时间为2～5小时，即可制得高性能钛酸锶钡热释电陶瓷。本发明通过在烧结制得钛酸锶钡陶瓷后对其进行后退火处理，可以制得高性能的钛酸锶钡热释电陶瓷，其介电常数高，可以达到9500以上，热释电系数高，可以达到18×10-8C/cm2K以上，且样品纯度高、性能高、均匀性好，可满足制作非制冷红外焦平面器件的要求，有效地解决了BST陶瓷难以烧结至高致密度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 退火 工艺 制备 性能 钛酸锶钡热释电 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
一种采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法，其特征在于，将经烧结得到的钛酸锶钡陶瓷在氧气气氛下退火，退火温度为800～1250℃，退火时间为2～5小时，即可制得高性能钛酸锶钡热释电陶瓷。
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