[发明专利]一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法无效
| 申请号： | 201410350129.5 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104264219A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王悦湖;胡继超;宋庆文;张艺蒙;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/36;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C3H8和SiH4，生长缓冲层。缓冲层生长结束后，设置N2流量，生长低掺杂的集电区。集电区生长结束后，设置Al流量，生长双层阶梯掺杂的基区，其中第一层低掺缓变区，第二层为高掺杂。最后，设置N2流量，生长高掺杂的发射区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基区缓变 掺杂 碳化硅 薄膜 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃‑1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C3H8和SiH4，生长缓冲层；缓冲层生长结束后，设置N2流量，生长低掺杂的集电区；集电区生长结束后，设置Al流量，生长双层阶梯掺杂的基区，其中第一层低掺缓变区，第二层为高掺杂；最后，设置N2流量，生长高掺杂的发射区；(5)当达到设定的外延生长时间后，停止生长，在反应室继续通入氢气，使衬底片在氢气流中降温；(6)当温度降低到700℃以下后，再次将反应室抽成真空，然后缓慢充入氩气，使衬底片在氩气环境下自然冷却到室温。
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