[发明专利]一种控制生长压强P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法在审
| 申请号： | 201410350270.5 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104233466A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王悦湖;涂银辉;胡继超;张艺蒙;宋庆文;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/36;C23C16/32;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种控制生长压强P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；（3）打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；（4）当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C3H8和SiH4；将液态三甲基铝放置于鼓泡器中用作掺杂源，将一定量的H2通入鼓泡器中，使H2携带三甲基铝通入反应室中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 生长 压强 掺杂 碳化硅 薄膜 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种控制生长压强P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃‑1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C3H8和SiH4；将液态三甲基铝放置于鼓泡器中用作掺杂源，将一定量的H2通入鼓泡器中，使H2携带三甲基铝通入反应室中；当第一层P型掺杂层生长结束后，停止向反应室通入SiH4、C3H8和携带有三甲基铝的H2并保持1min，其间将反应压强增大到300mbar，并保持压强稳定；之后继续向反应室通入SiH4、C3H8和携带有三甲基铝的H2生长第二层P型掺杂层；(5)当达到设定的外延生长时间后，停止生长，在反应室继续通入氢气，使衬底片在氢气流中降温；(6)当温度降低到700℃以下后，再次将反应室抽成真空，然后缓慢充入氩气，使衬底片在氩气环境下自然冷却到室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410350270.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
