[发明专利]MEMS器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410350576.0 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105329844B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 何昭文;李曼曼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 万铁占,张亚利 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MEMS器件的形成方法，包括提供基底，在所述基底中形成有CMOS器件；在所述基底上形成牺牲层；在所述牺牲层中形成第一通孔，所述第一通孔位于所述CMOS器件上；在所述牺牲层上和第一通孔中形成SiGe层，所述SiGe层填充满所述第一通孔；使用热氧化生长工艺，在SiGe层上生成氧化硅层；在形成所述氧化硅层后，去除所述牺牲层。使用热氧化生长工艺生成的SiO2与SiGe之间通过键合结合，与化学气相沉积形成SiO2相比，可以提高氧化硅层与SiGe层之间的界面特性，增强氧化硅层与SiGe层之间的粘附力，不容易产生剥离脱落的问题。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底中形成有CMOS器件；在所述基底上形成牺牲层；在所述牺牲层中形成第一通孔，所述第一通孔位于所述CMOS器件上；在所述牺牲层上和第一通孔中形成SiGe层，所述SiGe层填充满所述第一通孔；使用热氧化生长工艺，在SiGe层上生成氧化硅层；在形成所述氧化硅层后，去除所述牺牲层。
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