[发明专利]具有高膜基结合力的Sm‑Co基永磁薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410350870.1 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104112562B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 祁晓玉;王永;张健;杜娟;夏卫星;闫阿儒;刘平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01F10/16 | 分类号： | H01F10/16;H01F41/18 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 单英 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有高膜基结合力的Sm‑Co基永磁薄膜，该Sm‑Co基永磁薄膜与基体之间是缓冲层，该缓冲层是两层结构，一层是与位于基体表面的铜薄膜层，另一层是位于铜薄膜层表面的钨薄膜层，该缓冲层能够有效提高Sm‑Co基永磁薄膜与基体的结合力。实验证实，具有该结构的Sm‑Co基永磁薄膜在热处理过程中的热处理温度得到大幅度提高，能够从现有的600℃～800℃上升至900℃以上，甚至当热处理温度高达1000℃时仍与基体结合完好，未出现脱落现象。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高膜基 结合 sm co 永磁 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有高膜基结合力的Sm‑Co基永磁薄膜，所述的Sm‑Co基永磁薄膜位于基体表面，其特征是：所述的基体与Sm‑Co基永磁薄膜之间是缓冲层，所述的缓冲层是两层结构，一层是与位于基体表面的铜薄膜层，另一层是位于铜薄膜层表面的钨薄膜层；所述的基体为硅片或者Si/SiO2基片；所述的Sm‑Co基永磁薄膜在900℃以上的高温退火处理后与基体结合完好，未出现脱落现象。
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