[发明专利]一种控制掺杂源流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法

摘要

本发明涉及一种控制掺杂源流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H₂直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H₂流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；（3）打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；（4）当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C₃H₈和SiH₄；将液态三甲基铝放置于鼓泡器中用作掺杂源，将一定量的H₂通入鼓泡器中，使H₂携带三甲基铝通入反应室中。

主权项

一种控制掺杂源流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H₂直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H₂流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃‑1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C₃H₈和SiH₄；将液态三甲基铝放置于鼓泡器中用作掺杂源，将一定量的H₂通入鼓泡器中，使H₂携带三甲基铝通入反应室中；当第一层P型掺杂层生长结束后，停止向反应室通入SiH₄、C₃H₈和携带有三甲基铝的H₂并保持1min，其间调整用于携带三甲基铝的H₂流量；之后继续向反应室通入SiH₄、C₃H₈和携带有三甲基铝的H₂生长第二层P型掺杂层；(5)当达到设定的外延生长时间后，停止生长，在反应室继续通入氢气，使衬底片在氢气流中降温；(6)当温度降低到700℃以下后，再次将反应室抽成真空，然后缓慢充入氩气，使衬底片在氩气环境下自然冷却到室温。