[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410351182.7 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104134690B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 鲁微;李海军;马俊彩;贺强;鲁明;马平 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述高电子迁移率晶体管设有凹部，所述凹部设有凹部底壁及连接于所述凹部底壁的凹部侧壁，所述高电子迁移率晶体管还设有用于抑制漏电的保护层，所述保护层覆盖所述凹部侧壁。本发明高电子迁移率晶体管通过于凹部侧壁设置保护层，从而在保持钝化层可有效抑制电流崩塌的同时，防止钝化层与凹部侧壁形成导电通道而导致的器件漏电增加。本发明还提供所述高电子迁移率晶体管的制备方法。所述方法与常规工艺兼容，不需要额外的光刻步骤，实现简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，其特征在于：包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述高电子迁移率晶体管设有凹部，所述凹部自所述钝化层开设且贯通所述钝化层及所述势垒层，并延伸至所述沟道层中，所述凹部设有凹部底壁及连接于所述凹部底壁的凹部侧壁，所述高电子迁移率晶体管还设有用于抑制漏电的保护层，所述保护层覆盖所述凹部侧壁，所述钝化层还覆盖于所述保护层。
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