[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示设备有效

专利信息
申请号: 201410351335.8 申请日: 2014-07-22
公开(公告)号: CN104167447A 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 张锋;曹占锋;姚琪 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管,包括:基板、有源层、第一刻蚀阻挡层、第二刻蚀阻挡层、源电极和漏电极,其中:有源层设于基板的上方;第一刻蚀阻挡层设于有源层的上方;第二刻蚀阻挡层设于第一刻蚀阻挡层的上方;源电极和漏电极设于第二刻蚀阻挡层的上方,利用第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层中的过孔,所述源电极和漏电极彼此通过有源层连接;处于沟道位置处的第一刻蚀阻挡层的长度小于第二刻蚀阻挡层的长度。本发明同时还公开了一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板和显示设备。本发明薄膜晶体管的沟道长度小于现有薄膜晶体管的沟道长度,从而减小了薄膜晶体管的尺寸和能耗,提高了液晶面板的开口率,提高了薄膜晶体管的开启电流,进一步提高了薄膜晶体管的整体性能。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示 设备
【主权项】:
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:基板、有源层、第一刻蚀阻挡层、第二刻蚀阻挡层、源电极和漏电极,其中:所述有源层设置于所述基板的上方;所述第一刻蚀阻挡层设置于所述有源层的上方;所述第二刻蚀阻挡层设置于所述第一刻蚀阻挡层的上方;所述源电极和漏电极设置于所述第二刻蚀阻挡层的上方,利用所述第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层中的过孔,所述源电极和漏电极彼此通过所述有源层连接;其中,处于沟道位置处的第一刻蚀阻挡层的长度小于处于沟道位置处的第二刻蚀阻挡层的长度。
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