[发明专利]一种改进的扇出型方片级半导体芯片封装工艺在审
申请号: | 201410351578.1 | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN104103527A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 陈峰 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 任益 |
地址: | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种改进的扇出型方片级半导体芯片封装工艺,保证了加工尺寸最大化,提升了产能、降低了制作成本、解决了制造过程中翘曲等因素的影响,其包括以下步骤:在承载片正背面制作对准标记;在承载片正背面覆盖临时键合材料,在临时键合材料上贴合导热材料;导热材料上贴装芯片,芯片背面或导热材料上涂覆有粘结胶;在承载片正背面涂覆第一绝缘树脂;在第一类绝缘树脂上形成导通孔;沉积种子层,种子层上涂覆光刻胶,光刻胶上显露出图形,图形区中形成电镀线路;去除电镀线路和电镀线路底部以外的种子层;涂覆第二类绝缘树脂,第二类绝缘树脂上开窗;去除承载片和临时键合材料,焊盘处形成焊球;将产品分割成多个芯片。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进 扇出型方片级 半导体 芯片 封装 工艺 | ||
【主权项】:
一种改进的扇出型方片级半导体芯片封装工艺,其特征在于:其包括以下步骤:(1)、在承载片上正背面制作对准标记; (2)、在承载片正面与背面覆盖临时键合材料,在临时键合材料上贴合导热材料;(3)、在承载片正背面的导热材料上间隔贴装芯片,芯片背面或导热材料上涂覆有粘结胶;(4)、在承载片正背面涂覆第一类绝缘树脂,第一类绝缘树脂覆盖芯片;(5)、在第一类绝缘树脂上开窗,形成导通孔,将芯片的焊盘露出;(6)、在导通孔和第一类绝缘树脂上沉积种子层,在种子层上面涂覆光刻胶,在光刻胶上显露出图形,在光刻胶显露出的图形区中形成电镀线路;(7)、去除光刻胶和光刻胶底部的种子层,保留电镀线路和电镀线路底部的种子层;(8)、在承载片正面和背面分别涂覆第二类绝缘树脂,在第二类绝缘树脂上开窗露出焊盘;(9)、去除承载片和临时键合材料,在焊盘处形成焊球;(10)、通过切割工艺将产品分割成多个芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造