[发明专利]GaAs光电阴极激活工艺无效
| 申请号： | 201410351933.5 | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104112633A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 白辉;李继良 | 申请（专利权）人： | 四川天微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs光电阴极激活工艺，包括Cs源激活和O源激活，在激活过程中，所述Cs源激活连续进行，所述O源激活间断进行：在激活过程中，Cs源一直处于开启状态，并在激活过程中连续测量光电流变化，在光电流达到峰值时开启O源激活，待光电流出现新的峰值后，停止O源激活；重复上述过程直至光电流不再上升。本工艺激活所用时间较短，还有利于防止O源过量对阴极造成的损害，便于得到高质量的GaAs光电阴极。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 光电 阴极 激活 工艺 | ||
【主权项】：
GaAs光电阴极激活工艺，包括Cs源激活和O源激活，其特征在于，在激活过程中，所述Cs源激活连续进行，所述O源激活间断进行：在激活过程中，Cs源一直处于开启状态，并在激活过程中连续测量光电流变化，在光电流达到峰值时开启O源激活，待光电流出现新的峰值后，停止O源激活；重复上述过程直至光电流不再上升。
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