[发明专利]发光元件、发光元件晶片和电子装置有效

专利信息
申请号: 201410352628.8 申请日: 2014-07-23
公开(公告)号: CN104347768B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 斋藤大辅;内藤宏樹;青木彩香;小林新;迫田元 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10;H01L33/22
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;陈桂香
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及包括半导体材料的发光元件、发光元件晶片以及电子装置。所述发光元件包括发光层和光学功能膜。所述发光层被配置成包括具有第一电极的第一面、具有第二电极的第二面以及连接所述第一面与第二面的周面,所述第二面与所述第一面相对,且所述发光层由半导体制成。所述光学功能膜包括能够反射来自所述发光层的光的反射层,所述反射层设置有第一区域和第二区域,所述第一区域覆盖所述第二面和所述周面,所述第二区域从所述第一区域向所述发光层的外部突出以暴露出所述反射层的端面。因此,能够提供使发射光具有增强的发射强度和改善的方向性的发光元件、发光元件晶片以及电子装置。
搜索关键词: 发光 元件 晶片 电子 装置
【主权项】:
1.一种发光元件,其包括:发光层,其包括具有第一电极的第一面、具有第二电极的第二面以及连接所述第一面与所述第二面的周面,所述第二面与所述第一面相对,且所述发光层由半导体制成;光学功能膜,其包括能够反射来自所述发光层的光的反射层,所述反射层设置有第一区域和第二区域,所述第一区域覆盖所述第二面和所述周面,所述第二区域从所述第一区域向所述发光层的外侧突出以暴露出所述反射层的端面;以及无机绝缘膜,其覆盖所述第一面,其中,所述无机绝缘膜和所述发光层满足下述公式1:公式1:Nt/λ=(x+1)/4±0.15,其中,x=2、4、6或8,其中,N为所述无机绝缘膜的折射率,t为所述无机绝缘膜的厚度,且λ为所述发光层的发射光的波长。
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