[发明专利]具有横向延伸部分的晶体管的嵌入式源极或漏极区

摘要

在一些实施例中，在一种方法中，提供其上配置有栅极结构的体结构。栅极结构包括横穿体结构的栅极侧壁。在栅极侧壁上方形成间隔件。在体结构中形成第一凹槽。第一凹槽形成在间隔件旁边并且在间隔件下面横向延伸。在第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸第一凹槽的垂直深度。生长晶格常数不同于体结构的应力源材料，使得延伸的第一凹槽被填充。本发明还提供了具有横向延伸部分的晶体管的嵌入式源极或漏极区。

主权项

一种方法，包括：提供其上配置有栅极结构的体结构；所述栅极结构包括横穿所述体结构的栅极侧壁；在所述栅极侧壁上方形成间隔件；在所述体结构中形成第一凹槽，所述第一凹槽形成在所述间隔件旁边并且在所述间隔件下面横向延伸；在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部以延伸所述第一凹槽的垂直深度；以及生长晶格常数不同于所述体结构的应力源材料，使得延伸的第一凹槽被填充。