[发明专利]Efuse模块及其熔断电流的校准系统和校准方法有效

专利信息
申请号: 201410352688.X 申请日: 2014-07-23
公开(公告)号: CN105336373B 公开(公告)日: 2019-08-27
发明(设计)人: 陈先敏;杨家奇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16;G11C17/08
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 李仪萍
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种Efuse模块,所述Efuse模块至少包括:Efuse,用于所述熔断电流的大小在预设熔断电流范围内时熔断,以记录数据;可编程NMOS阵列,连接于所述Efuse,用于通过编程调整所述熔断电流的大小;其中,所述可编程NMOS阵列包括多个并联连接的NMOS器件,每个NMOS器件的漏极相连后与所述Efuse连接,每个NMOS器件的源极和衬底共同接地,每个NMOS器件的栅极共同组成控制信号端。本发明还提供一种Efuse模块熔断电流的校准系统和校准方法。本发明有效提高了熔断电流的精确度和稳定性,在工艺和环境变化时,熔断电流的精确和稳定保证了Efuse模块的稳定性和可靠性。
搜索关键词: efuse 模块 及其 熔断 电流 校准 系统 方法
【主权项】:
1.一种Efuse模块熔断电流的校准系统,其特征在于,所述Efuse模块熔断电流的校准系统至少包括:Efuse模块,包括:Efuse,用于熔断电流的大小在预设熔断电流范围内时熔断,以记录数据;可编程NMOS阵列,连接于所述Efuse,用于通过编程调整所述熔断电流的大小;其中,所述可编程NMOS阵列包括多个并联连接的NMOS器件,每个NMOS器件的漏极相连后与所述Efuse连接,每个NMOS器件的源极和衬底共同接地,每个NMOS器件的栅极共同组成控制信号端,所述控制信号端适于通过编程控制每个NMOS器件的开关,以调整所述熔断电流的大小;Efuse复制模块,其结构与所述Efuse模块相同,其输入端接入参考熔断电流,用于通过编程校准所述参考熔断电流;其中,所述Efuse复制模块根据预设编码预编程;工艺/环境侦测模块,连接于所述Efuse复制模块,用于在当前工艺/环境下,侦测并判断所述参考熔断电流的大小是否在预设熔断电流范围内,并输出判断结果;控制逻辑模块,连接于所述Efuse模块、所述Efuse复制模块和所述工艺/环境侦测模块,用于在所述判断结果为所述参考熔断电流的大小不在所述预设熔断电流范围内时,对所述Efuse复制模块进行重新编程;或者在所述判断结果为所述参考熔断电流的大小在所述预设熔断电流范围内时,根据所述Efuse复制模块最后一次编程的编码对所述Efuse模块编程,以调整所述熔断电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410352688.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top