[发明专利]Efuse模块及其熔断电流的校准系统和校准方法有效
申请号: | 201410352688.X | 申请日: | 2014-07-23 |
公开(公告)号: | CN105336373B | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 陈先敏;杨家奇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/08 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种Efuse模块,所述Efuse模块至少包括:Efuse,用于所述熔断电流的大小在预设熔断电流范围内时熔断,以记录数据;可编程NMOS阵列,连接于所述Efuse,用于通过编程调整所述熔断电流的大小;其中,所述可编程NMOS阵列包括多个并联连接的NMOS器件,每个NMOS器件的漏极相连后与所述Efuse连接,每个NMOS器件的源极和衬底共同接地,每个NMOS器件的栅极共同组成控制信号端。本发明还提供一种Efuse模块熔断电流的校准系统和校准方法。本发明有效提高了熔断电流的精确度和稳定性,在工艺和环境变化时,熔断电流的精确和稳定保证了Efuse模块的稳定性和可靠性。 | ||
搜索关键词: | efuse 模块 及其 熔断 电流 校准 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种Efuse模块熔断电流的校准系统,其特征在于,所述Efuse模块熔断电流的校准系统至少包括:Efuse模块,包括:Efuse,用于熔断电流的大小在预设熔断电流范围内时熔断,以记录数据;可编程NMOS阵列,连接于所述Efuse,用于通过编程调整所述熔断电流的大小;其中,所述可编程NMOS阵列包括多个并联连接的NMOS器件,每个NMOS器件的漏极相连后与所述Efuse连接,每个NMOS器件的源极和衬底共同接地,每个NMOS器件的栅极共同组成控制信号端,所述控制信号端适于通过编程控制每个NMOS器件的开关,以调整所述熔断电流的大小;Efuse复制模块,其结构与所述Efuse模块相同,其输入端接入参考熔断电流,用于通过编程校准所述参考熔断电流;其中,所述Efuse复制模块根据预设编码预编程;工艺/环境侦测模块,连接于所述Efuse复制模块,用于在当前工艺/环境下,侦测并判断所述参考熔断电流的大小是否在预设熔断电流范围内,并输出判断结果;控制逻辑模块,连接于所述Efuse模块、所述Efuse复制模块和所述工艺/环境侦测模块,用于在所述判断结果为所述参考熔断电流的大小不在所述预设熔断电流范围内时,对所述Efuse复制模块进行重新编程;或者在所述判断结果为所述参考熔断电流的大小在所述预设熔断电流范围内时,根据所述Efuse复制模块最后一次编程的编码对所述Efuse模块编程,以调整所述熔断电流。
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