[发明专利]一种低热导率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基热电材料在审
| 申请号： | 201410352858.4 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104164581A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 杜正良 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C1/10;C22C13/00;H01L35/18 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 315016浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低热导率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基热电材料，涉及热电材料，通过向Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基热电材料中掺杂Ge元素，降低了Mg2Si0.3Sn0.7晶格热导率，从而提高Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的ZT值。本发明Ge掺杂的Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的热电性能优于现有的Mg2Si0.3Sn0.7材料，其机理是Ge原子和Si原子间、Ge原子与Sn原子间的质量差与原子半径差可阻碍热传导，降低材料的晶格热导率，从而提高材料的热电性能，填补了用Ge元素掺杂的Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的空白，工艺简单，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低热 mg sub si 0.2 ge 0.1 sn 0.7 热电 材料 | ||
【主权项】：
一种低热导率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基热电材料，其特征在于：通过向Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基热电材料中掺杂Ge元素，降低了Mg2Si0.3Sn0.7晶格热导率，从而提高Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的ZT值。
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