[发明专利]存储器的操作方法有效
| 申请号： | 201410353625.6 | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN105448345B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 黄正乙;杨家奇;黄正太;陈先敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器的操作方法，存储器包括至少一个存储单元，存储单元包括N个第一晶体管和熔丝，存储器的操作方法包括：提供复制单元，复制单元包括N个第二晶体管和第一电阻，第一电阻的第一端连接N个第二晶体管的第一端，N个第二晶体管的第二端接地，第二晶体管的第一端和第二端分别为源极和漏极，第一晶体管和第二晶体管尺寸相同，第一电阻与熔丝阻值相同；施加编程电流至第一电阻的第二端；获得使第一电阻的第二端电压值处于预设电压范围时处于导通状态的第二晶体管的数量M，M≤N；对存储器单元执行编程操作时，施加编程电流至熔丝的第二端，并控制执行编程操作的存储单元中的M个第一晶体管处于导通状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器的操作方法，所述存储器包括至少一个存储单元，所述存储单元包括N个第一晶体管和熔丝，N＞1，所述熔丝的第一端连接所述N个第一晶体管的第一端，所述N个第一晶体管的第二端接地，所述第一晶体管的第一端和第二端分别为源极和漏极，其特征在于，所述存储器的操作方法包括：提供复制单元，所述复制单元包括N个第二晶体管和第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述N个第二晶体管的第一端，所述N个第二晶体管的第二端接地，所述第二晶体管的第一端和第二端分别为源极和漏极，所述第一晶体管和第二晶体管尺寸相同，所述第一电阻与熔丝阻值相同；施加编程电流至所述第一电阻的第二端；获得使所述第一电阻的第二端电压值处于预设电压范围时处于导通状态的第二晶体管的数量M，M≤N；对存储器单元执行编程操作时，施加所述编程电流至所述熔丝的第二端，并控制所述执行编程操作的存储单元中的M个第一晶体管处于导通状态。
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