[发明专利]存储器单元及其形成方法和读取方法

摘要

一种存储器单元及其形成方法和读取方法，存储器单元的形成方法包括：提供半导体衬底，包括第一比特区和第二比特区，半导体衬底表面形成有第一介质层、浮栅材料层和第二介质层；在第一比特区内形成第一掺杂区；在第二比特区内形成第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂浓度小于第一掺杂区的掺杂浓度；刻蚀第二介质层，形成开口；在开口的侧壁表面形成侧墙；以侧墙为掩膜刻蚀浮栅材料层和第一介质层至半导体衬底表面；在开口内形成源线；去除第二介质层及第二介质层下方的浮栅材料层和第一介质层，形成位于侧墙下方的浮栅极和浮栅介质层；形成隧穿介质层；形成位于隧穿介质层表面的字线；形成第一漏区和第二漏区。上述方法可以降低存储器的成本。

主权项

一种存储器单元的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一比特区、与所述第一比特区相邻的第二比特区，所述半导体衬底表面形成有第一介质层、位于所述第一介质层表面的浮栅材料层和位于所述浮栅材料层表面的第二介质层；对所述第一比特区进行第一离子注入，形成第一掺杂区；对所述第二比特区进行第二离子注入，形成第二掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂浓度小于第一掺杂区的掺杂浓度；刻蚀所述第二介质层，形成开口，所述开口暴露出部分第一比特区和部分第二比特区上的浮栅材料层；在所述开口的侧壁表面形成侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀浮栅材料层和第一介质层至半导体衬底表面；在所述开口内形成源线；去除第二介质层及第二介质层下方的浮栅材料层和第一介质层，形成位于侧墙下方的浮栅极和浮栅介质层；形成覆盖所述半导体衬底表面、侧墙、浮栅极和浮栅介质层侧壁的隧穿介质层；形成位于所述隧穿介质层表面的字线；在字线一侧的第一比特区内形成第一漏区，字线一侧的第二比特区内形成第二漏区。