[发明专利]半导体装置的浅沟槽隔离结构与其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体装置的浅沟槽隔离结构与其制造方法。制造半导体装置的浅沟槽隔离结构的方法包括以下步骤。提供基板，其上方依序形成衬垫氧化层以及第一图案化光致抗蚀剂层；在基板中形成第一沟槽；沉积第一介电层于第一沟槽中以及基板上；提供第二图案化光致抗蚀剂层，以对应第二图案化光致抗蚀剂层，在第一介电层中形成开口以及于该基板中形成第二沟槽；沉积第二介电层，覆盖于基板中的第一沟槽中、第二沟槽中以及基板上的第一介电层；以化学机械研磨除去第二介电层，直接露出第一介电层为止；以及选择性移除基板上的第一介电层。

主权项

一种制造半导体装置的浅沟槽隔离结构的方法，包括以下步骤：提供一基板，其上方依序形成一衬垫氧化层以及一第一图案化光致抗蚀剂层；对应该第一图案化光致抗蚀剂层，在该基板中形成一第一沟槽；在移除该第一图案化光致抗蚀剂层后，沉积一第一介电层于该第一沟槽中以及该基板上；提供一第二图案化光致抗蚀剂层，以对应该第二图案化光致抗蚀剂层，在该第一介电层中形成一开口以及于该基板中形成一第二沟槽；在移除该第二图案化光致抗蚀剂层后，沉积一第二介电层，覆盖于该基板中的该第一沟槽中、该第二沟槽中以及该基板上的第一介电层；以化学机械研磨除去该第二介电层，直到露出该第一介电层为止；以及选择性移除该基板上的该第一介电层；其中该第一沟槽的面积大于该第二沟槽的面积，而且该第一介电层的介电常数高于该第二介电层。