[发明专利]一种氮化物半导体的制备方法在审
| 申请号： | 201410354965.0 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104103720A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 谢翔麟;徐志波;李政鸿;林兓兓;卓昌正;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种氮化物半导体的制备方法，通过在PVD法AlN薄膜层与CVD法氮化镓系列层之间沉积一CVD法AlxInyGa1-x-yN材料层，利用该材料层可减小AlN薄膜层与氮化镓系列层之间的应力作用，改善发光二极管的整体质量，从而最终改善发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体的制备方法，包括以下步骤：步骤一：提供一衬底，利用物理气相沉积法（PVD法）在所述衬底上沉积一AlN层，形成第一缓冲层；步骤二：在所述AlN层上利用化学气相沉积法（CVD）沉积一AlxInyGa1‑x‑yN（0<x≤1，0≤y≤1）层，形成第二缓冲层；所述第二缓冲层与所述第一缓冲层组合构成底层；步骤三：在所述底层上利用化学气相沉积法沉积n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层。
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