[发明专利]一种含Te-Ti-Cu预置层的碲化镉太阳电池有效
| 申请号： | 201410355078.5 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104124290B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李卫;文灿;张静全;冯良桓;武莉莉;黎兵;王文武;曾广根;高静静;王州玲;唐楠 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L31/0256 | 分类号： | H01L31/0256;H01L31/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610064 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种含Te‑Ti‑Cu预置层的碲化镉太阳电池，采用一种周期结构的Te‑Ti‑Cu预置层，置于碲化镉太阳电池的吸收层背表面，作为碲化镉太阳电池的背接触层和背电极材料。从材料构型和材料本身性质上抑制铜扩散，消除铜扩散带来的负面影响，实现欧姆接触，避免化学腐蚀和单独沉积其他金属作电极，减少器件制作工序，提高太阳电池的光电转换效率和改善器件的长效稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 te ti cu 预置 碲化镉 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种含Te‑Ti‑Cu预置层的碲化镉太阳电池, 其结构为：玻璃/透明导电膜/硫化镉/碲化镉/Te‑Ti‑Cu预置层，其特征是：所述Te‑Ti‑Cu预置层为周期结构，堆垛顺序为碲/钛/铜/碲/钛/铜/…/碲/钛/铜，或者钛/碲/铜/钛/碲/铜…/钛/碲/铜，堆垛顺序最后一个周期后为钛；所述Te‑Ti‑Cu预置层在惰性气体气氛下，150℃~500℃，退火10~60分钟后处理形成碲和掺铜的碲化钛两种物质作为碲化镉太阳电池的背接触层；所述堆垛顺序最后一个周期后的钛层作为背电极材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
