[发明专利]具有集成栅极‑电阻器的功率MOS晶体管

摘要

本发明公开了一种具有集成栅极‑电阻器的功率MOS晶体管，具体地一种晶体管器件包括布置在半导体本体上的晶体管单元区域中的至少一个个体晶体管单元，每个个体晶体管单元包括栅极电极；栅极接触，电耦合至晶体管单元的栅极电极并且被配置用于通过提供沿第一方向的栅极电流来导通至少一个晶体管单元、以及被配置用于通过提供沿第二方向的栅极电流来关断至少一个晶体管单元，第二方向与第一方形相反；单片地集成在晶体管器件中的至少一个栅极‑电阻器结构，栅极‑电阻器结构在栅极电流沿第一方向流动时针对栅极电流提供第一电阻，并且当栅极电流沿第二方向流动时针对栅极电流提供不同于第一电阻的第二电阻。

主权项

一种晶体管器件，包括：至少一个晶体管单元，布置在半导体本体上的晶体管单元域中，所述至少一个晶体管单元的每一个包括栅极电极；栅极接触，电耦合至所述晶体管单元的所述栅极电极，并且被配置用于通过提供沿第一方向的栅极电流来导通所述至少一个晶体管单元、以及通过提供沿第二方向的栅极电流来关断所述至少一个晶体管单元，所述第二方向与所述第一方向相反；以及至少一个栅极‑电阻器结构，单片地集成在所述晶体管器件中，所述栅极‑电阻器结构在所述栅极电流沿所述第一方向流动时针对所述栅极电流提供第一电阻，以及当所述栅极电流沿所述第二方向流动时针对所述栅极电流提供不同于所述第一电阻的第二电阻，其中所述晶体管单元的所述栅极电极是第一导电类型或第二导电类型，并且包括顶表面，以及其中所述栅极‑电阻器结构包括：所述第一导电类型的第一半导体区域，沿垂直方向从所述顶表面延伸到所述栅极电极中；所述第二导电类型的第二半导体区域，与所述第一半导体区域相邻布置，由此与所述第一半导体区域形成pn结；第二绝缘层，被布置用于将所述第一半导体区域与周围的所述栅极电极绝缘；以及接触层，被布置在所述栅极电极的所述顶表面上，覆盖所述第一半导体区域以电连接所述第一半导体区域，并且附加地覆盖所述栅极电极的所述顶表面的沿水平方向位于所述第一半导体区域旁边的部分。