[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面；在衬底内形成第一插塞，第一插塞具有第一端和第二端，第一插塞的第一端与衬底的第一表面齐平，第一插塞的第二端位于衬底内，第一插塞的长度为第一尺寸；在形成第一插塞之后，对衬底的第二表面进行减薄，直至衬底的厚度为第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸；在对衬底的第二表面进行减薄之后，在衬底内形成第二插塞，第二插塞位于第一插塞的第二端表面，且第二插塞的顶部与衬底的第二表面齐平，第一插塞和第二插塞形成导电插塞，导电插塞贯穿衬底。所形成的半导体结构的可靠性和稳定性。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；在所述衬底内形成第一插塞，所述第一插塞具有第一端和第二端，所述第一插塞的第一端与所述衬底的第一表面齐平，所述第一插塞的第二端位于衬底内，所述第一插塞的长度为第一尺寸；在形成所述第一插塞之后，对所述衬底的第二表面进行减薄，直至所述衬底的厚度为第二尺寸，所述第二尺寸大于第一尺寸；在对所述衬底的第二表面进行减薄之后，在所述衬底内形成第二插塞，所述第二插塞位于第一插塞的第二端表面，且所述第二插塞的顶部与所述衬底的第二表面齐平，所述第一插塞和第二插塞形成导电插塞，所述导电插塞贯穿所述衬底。