[发明专利]一种无衬底LED芯片的电极结构无效
| 申请号： | 201410355924.3 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104143598A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李媛 | 申请（专利权）人： | 李媛 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 529100 广东省江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种无衬底LED芯片的电极结构，包括N型半导体层，层叠于N型半导体层上的发光层和层叠于发光层上的P型半导体层，N型半导体层和P型半导体层两侧的面为芯片的出光面，位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面，与N型半导体层电接触的N型电极和与P型半导体层电接触的P型电极，所述N型电极和P型电极至少一个电极设置在所述芯片的侧面上，该侧面电极与芯片侧面间设置有绝缘层。由于本发明将电极设置在芯片的侧面，增加了芯片发光面积，提高了芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 led 芯片 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种无衬底LED芯片的电极结构，包括N型半导体层，层叠于N型半导体层上的发光层和层叠于发光层上的P型半导体层，N型半导体层和P型半导体层两侧的面为芯片的出光面，位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面，与N型半导体层电接触的N型电极和与P型半导体层电接触的P型电极，其特征在于：所述N型电极和P型电极至少一个电极设置在所述芯片的侧面上，该设置在芯片侧面的N型电极和/或P型电极与芯片侧面间设置有绝缘层。
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