[发明专利]刻蚀装置及刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410356255.1 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105336563A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 张君;刘利坚;谢秋实;李东三 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀装置及刻蚀方法。其中刻蚀装置包括：反应腔；晶圆固定装置，晶圆固定装置用于将晶圆固定在反应腔的顶部且晶圆的待刻蚀面朝向反应腔的底部；气体注入口，气体注入口设置在反应腔底部，用于向反应腔通入刻蚀气体；激励线圈，激励线圈环绕反应腔设置，用于将刻蚀气体激发成等离子体；以及偏压提供装置，偏压提供装置与晶圆固定装置相连，用于对晶圆固定装置中的晶圆施加偏压。本发明实施例的刻蚀装置不受刻蚀材料种类限制，无论刻蚀反应产物的挥发性高低均可用持续地进行刻蚀，具有刻蚀速率高、适用范围广、工艺成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀装置，其特征在于，包括：反应腔；晶圆固定装置，所述晶圆固定装置用于将晶圆固定在所述反应腔的顶部且所述晶圆的待刻蚀面朝向所述反应腔的底部；气体注入口，所述气体注入口设置在所述反应腔底部，用于向所述反应腔通入刻蚀气体；激励线圈，所述激励线圈环绕所述反应腔设置，用于将所述刻蚀气体激发成等离子体；以及偏压提供装置，所述偏压提供装置与所述晶圆固定装置相连，用于对所述晶圆固定装置中的晶圆施加偏压。
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