[发明专利]一种制备非晶二氧化硅纳米管的方法有效
| 申请号： | 201410356485.8 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104108719A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 武立立;张喜田;孙道彬;啜慧心 | 申请（专利权）人： | 黑龙江科技大学 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;B82Y40/00;B82Y30/00 |
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| 地址： | 150027 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种制备非晶二氧化硅纳米管的方法，涉及纳米材料制备技术领域。是为了实现了非晶二氧化硅纳米管的少耗时、少污染的低成本制备。其方法：首先将单晶硅片衬底清洗干净并烘干，利用离子溅射仪在硅片表面溅射一层金膜作为催化剂，然后将承载硫化锌粉末和硅衬底的刚玉舟放到水平管式炉中，密封管式炉，通入高纯惰性气体作为载气，冲洗掉生长室内的残余空气；最后将惰性气体流速控制在30sccm～300sccm，生长室内压强保持在80Pa～1000Pa，使管式炉升温至合成温度1100℃～1200℃，并保持恒温0.2～1小时，反应结束后使管式炉自然冷却至室温。本发明适用于制备非晶二氧化硅纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 二氧化硅 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种制备非晶二氧化硅纳米管的方法，其特征是：它由以下步骤实现：步骤一、将单晶硅片衬底清洗干净并烘干，利用离子溅射仪在硅片表面溅射一层厚度为2nm～6nm的金膜作为催化剂，为纳米材料的生长提供成核点；步骤二、将承载硫化锌粉末和硅衬底的刚玉舟放到水平管式炉中，使硫化锌位于水平管式炉的高温区中心，硅衬底处于硫化锌下游10cm～30cm的位置，密封管式炉，通入高纯惰性气体作为载气，冲洗掉生长室内的残余空气；步骤三、将惰性气体流速控制在30sccm‑300sccm，生长室内压强保持在80Pa～1000Pa，使管式炉升温至合成温度1100℃～1200℃，并保持恒温0.2小时～1小时，反应结束后使管式炉自然冷却至室温，取出合成产物即为本发明的二氧化硅纳米管。
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