[发明专利]银纳米柱簇阵列及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201410356696.1 申请日: 2014-07-24
公开(公告)号: CN104099567A 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 朱储红;孟国文;李中波 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C23C14/18 分类号: C23C14/18;C23C28/02;C25D3/46;C25D5/48;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 代理人: 任岗生
地址: 230031 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种银纳米柱簇阵列及其制备方法和用途。阵列由覆于金膜上的银纳米柱簇阵列组成,其中,组成银纳米柱簇阵列的银纳米柱簇由顶端聚集的20根以上的柱直径为55~75nm、柱长为750~850nm、柱根中心距为130~170nm的银纳米柱构成。方法为先将单层晶体模板转移至通孔氧化铝模板表面后于其上溅射金膜,再将其置于银电解液中电沉积银纳米柱后去除其中的单层晶体模板,接着,先于其一面覆有金膜、孔中置有银纳米柱的氧化铝模板的金膜的一面溅射金膜后溶解掉氧化铝模板,再将其上置有银纳米柱阵列的金膜干燥,制得目的产物。它可作为表面增强拉曼散射的活性基底,使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的多氯联苯PCB-3或有机磷农药甲基对硫磷或有机氯农药2,4-D的含量。
搜索关键词: 纳米 阵列 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
一种银纳米柱簇阵列,由金膜上的银纳米柱阵列组成,其特征在于:所述金膜的厚度≥100nm;所述银纳米柱阵列为银纳米柱簇阵列,所述组成银纳米柱簇阵列的银纳米柱簇由顶端聚集的20根以上的银纳米柱构成;所述构成银纳米柱簇的银纳米柱的柱直径为55~75nm、柱长为750~850nm、柱根中心间距为130~170nm。
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