[发明专利]增大湿法去除未反应的镍铂硅化物之工艺窗口的方法有效
| 申请号： | 201410356956.5 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104183482B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 宋振伟;徐友峰;陈晋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种增大湿法去除未反应的镍铂硅化物之工艺窗口的方法，包括执行步骤S1在70℃的SC‑1(NH4OH、H2O2的混合溶液)，或者常温盐酸(HCL)中，初次去除一定量的镍铂合金；执行步骤S2在130～200℃的SPM(H2SO4、H2O2的混合溶液)中，除尽剩余的镍铂合金；执行步骤S3在SC‑1(NH4OH、H2O2的混合溶液)中进行清洗。本发明通过在70℃的SC‑1(NH4OH、H2O2的混合溶液)，或者常温盐酸(HCL)中，初次去除一定量的镍铂合金；然后在130～200℃的SPM(H2SO4、H2O2的混合溶液)中，利用高温SPM对镍铂合金的优异选择比，进行合适的过量刻蚀，以除尽剩余的镍铂合金，进而实现增加湿法刻蚀的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 增大 湿法 去除 反应 镍铂硅化物 工艺 窗口 方法 | ||
【主权项】：
一种增大湿法去除未反应的镍铂硅化物之工艺窗口的方法，其特征在于，所述增大湿法去除未反应的镍铂硅化物之工艺窗口的方法，包括：执行步骤S1：在70℃的SC‑1(NH4OH、H2O2的混合溶液)，或者常温盐酸(HCL)中，初次去除一定量的镍铂合金；执行步骤S2：在130～200℃的SPM(H2SO4、H2O2的混合溶液)中，除尽剩余的镍铂合金；执行步骤S3：在SC‑1(NH4OH、H2O2的混合溶液)中进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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