[发明专利]一种U形沟槽的功率器件及其制造方法

摘要

本发明属于半导体功率器件技术领域，特别是涉及一种U形沟槽的功率器件及其制造方法。本发明的U形沟槽的功率器件是在漏区之上的漂移区内设有电荷补偿区，该电荷补偿区与漂移区之间形成超结结构，能够提高功率器件的击穿电压，即在不降低功率器件击穿电压的条件下，提高硅外延层的掺杂浓度、降低导通电阻；同时，本发明在位于该电荷补偿区之上的U形沟槽的底部设有一个小的凹槽，使得场氧化应力过渡区得到延长，以大大降低场氧化应力造成的漏电流和提高器件的可靠性。本发明通过自对准工艺形成电荷补偿区和U形沟槽底部的凹槽，工艺过程简单，易于控制，特别适用于20V至1000V的U形沟槽的功率器件的制造。

主权项

一种U形沟槽的功率器件，它包括：半导体衬底底部的第一掺杂类型的漏区，以及位于所述漏区之上的半导体衬底内的第一种掺杂类型的漂移区；其特征在于还包括：在所述漂移区内设有第二种掺杂类型的电荷补偿区，该电荷补偿区与所述漂移区之间设有超结结构；在所述电荷补偿区之上的半导体衬底内设有U形沟槽，该U形沟槽的底部延伸进入所述漂移区；在所述U形沟槽侧壁两侧的半导体衬底内分别设有第二种掺杂类型的沟道区，在该U形沟槽的两个侧壁上分别设有覆盖该沟道区的栅氧化层、以及在该U形沟槽底部设有场氧化层，该场氧化层的两侧呈鸟嘴形状；在所述U形沟槽内设有覆盖所述栅氧化层和场氧化层的多晶硅栅极；在所述半导体衬底内的两个沟道区之上分别设有第一种掺杂类型的源区。