[发明专利]一种沟槽型绝缘栅场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410357032.7 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104103694A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;林曦;王鹏飞;龚轶 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 吴树山 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于绝缘栅场效应晶体管技术领域，特别是涉及一种沟槽型绝缘栅场效应晶体管及其制造方法。本发明的沟槽型绝缘栅场效应晶体管是在栅极沟槽底部设有厚的绝缘介质层，以提高绝缘栅场效应晶体管的击穿电压并降低其寄生电容；同时，在所述栅极沟槽的底部设置一个小凹槽，使得场氧化应力过渡区得到延长，很好地解决了场氧化应力造成的漏电流问题和提高了器件的可靠性；本发明通过自对准工艺形成栅极沟槽底部的凹槽，工艺过程简单，易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 绝缘 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型绝缘栅场效应晶体管，它包括：半导体衬底底部的第二掺杂类型的漏区，以及在半导体衬底内形成的位于所述漏区之上的第一种掺杂类型的漂移区；半导体衬底内的一个U形沟槽，该U形沟槽的底部延伸进入所述漂移区；半导体衬底内的第二种掺杂类型的沟道区和第一种掺杂类型的源区，该沟道区和源区分别位于U形沟槽的侧壁两侧，且该源区位于该沟道区顶部；在所述U形沟槽的两个侧壁上设有覆盖所述沟道区的栅氧化层；其特征在于还包括：在所述U形沟槽的底部设有场氧化层，该场氧化层的两侧呈鸟嘴形状，且该场氧化层的厚度大于所述栅氧化层的厚度；在所述U形沟槽内设有覆盖所述栅氧化层和场氧化层的多晶硅栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州东微半导体有限公司，未经苏州东微半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410357032.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：散热型太阳能背板
- 下一篇：一种U形沟道的半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
