[发明专利]一种改善工艺副产物凝结缺陷的晶圆净化方法

摘要

本发明公开了一种改善工艺副产物凝结缺陷的晶圆净化方法，在对晶圆进行刻蚀或离子注入工艺后、清洗步骤之前，对晶圆进行前置净化处理，通过先向处于旋转状态的晶圆上表面喷射高于室温且形成旋流状态的净化气体，并通过调整净化气体与晶圆之间的喷射距离、喷射角度、喷射位置及喷射流量，使晶圆粘附的工艺副产物活性提高并发生松动，可在净化气体的携带下从晶圆分离抽出，再通过向晶圆的上表面喷射低于室温的净化气体，以降低残留的工艺副产物的反应活性，从而消除了工艺副产物在晶圆清洗之前的等待过程中与水反应产生凝结物缺陷的可能，因而有效地改善了晶圆表面的微环境，为产品良率的提升提供了保障。

主权项

一种改善工艺副产物凝结缺陷的晶圆净化方法，其特征在于，所述晶圆净化方法在对所述晶圆进行刻蚀或离子注入工艺后的清洗步骤之前实施，包括以下步骤：步骤一：提供经刻蚀或离子注入工艺后的所述晶圆，将所述晶圆放入净化腔，并使所述晶圆处于旋转状态；步骤二：向所述晶圆的上表面喷射高于室温的净化气体，利用所述净化气体散发的热能，使所述晶圆粘附的刻蚀或离子注入工艺副产物具有较高活性，并利用所述晶圆的旋转作用，使所述净化气体在所述晶圆表面形成旋流状态；同时，调整所述净化气体与所述晶圆之间的喷射距离、喷射角度、喷射位置及喷射流量，对所述晶圆的上表面施以变化的冲击作用，以将所述晶圆粘附的所述工艺副产物从所述晶圆分离；所述净化气体为氮气或惰性气体；步骤三：将所述净化腔内悬浮的所述净化气体及其携带的自所述晶圆分离的所述工艺副产物抽出所述净化腔；步骤四：继续向所述晶圆的上表面喷射低于室温的净化气体，利用所述净化气体的低温吸热能力，对残留的所述工艺副产物进行降温处理，使所述工艺副产物的活性降低，以消除残留的所述工艺副产物在所述晶圆清洗之前与水反应产生凝结物缺陷的可能，并在所述晶圆清洗前保留此状态；所述净化气体为气态或液态。