[发明专利]一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备在审
申请号: | 201410357115.6 | 申请日: | 2014-07-25 |
公开(公告)号: | CN104091776A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳;王恺 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备,用于在晶圆进行连接孔刻蚀后、进行清洗之前,对晶圆进行净化处理,通过在晶圆净化设备的腔体内按不同的方向分别设置喷射枪,可同时向旋转的晶圆支撑台上的晶圆喷射净化气体,并通过腔体上方穹顶形状的内壁中心的抽气管将腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出,还可通过喷射枪设有的气体搅动装置或喷嘴,来进一步增强净化的效果,因此,应用本发明的晶圆净化设备既可避免对晶圆、特别是对CD造成损伤,又可实现去除晶圆粘附的刻蚀副产物,从而消除了刻蚀副产物在等待清洗过程中与水反应产生的凝结物缺陷。 | ||
搜索关键词: | 一种 消除 连接 刻蚀 副产物 凝结 缺陷 净化 设备 | ||
【主权项】:
一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备,其特征在于,所述晶圆净化设备用于在所述晶圆进行连接孔刻蚀后、进行清洗之前,对所述晶圆进行净化处理,去除所述晶圆粘附的刻蚀副产物,以消除刻蚀副产物与水反应产生的凝结物缺陷,所述晶圆净化设备包括:腔体,所述腔体形成用于所述晶圆净化的密闭空间,所述腔体具有穹顶形状的上方内壁,所述腔体设有所述晶圆的传输窗口;喷射枪,包括活动设于所述腔体内上方的一顶部喷射枪和设于所述腔体内侧面的一侧壁喷射枪,所述喷射枪连通所述净化设备外部的净化气源,所述顶部喷射枪和所述侧壁喷射枪按不同的方向设置,可分别从不同方向向放置在所述腔体内的所述晶圆喷射净化气体,对所述晶圆进行净化处理;所述喷射枪设有气体搅动装置或喷嘴;晶圆支撑台,转动设于所述腔体内下方,用于承载所述晶圆,所述支撑台位于所述顶部喷射枪和所述侧壁喷射枪的下方;抽气管,所述抽气管的抽气口设于所述腔体上方内壁的中心部位,并与所述腔体内壁平齐,所述抽气管连通所述净化设备外部的气体回收装置,所述抽气管可将所述腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出,并排向所述气体回收装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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