[发明专利]CMOS中N型源漏注入对准度的监控结构及方法有效
| 申请号： | 201410357182.8 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104091795B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;顾晓芳;倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了CMOS中N型源漏离子注入对准度的监控结构及方法，该监控结构包括光阻区和N型源漏离子注入区，N型源漏离子注入区由N型阱‑N型源漏极结构构成，包括N型阱、N型源漏极、栅极、介质层以及对应于N型源漏极的接触孔；光阻区由N型阱‑P型源漏极结构构成，包括N型阱、P型源漏极、栅极、介质层，以及对应于P型源漏极的接触孔；对N型源漏注入区和光阻区分别注入N型源漏和P型源漏；经负电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中N型源漏离子注入对准度的实时监控，避免N型源漏离子注入到PMOS的N型阱中而导致PMOS漏电现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 型源漏 注入 对准 监控 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS中N型源漏离子注入对准度的监控结构，其特征在于，所述监控结构位于半导体衬底的非功能区域中，其包括N型源漏离子注入区和光阻区，所述光阻区为进行P型源漏离子注入的区域；其中，所述N型源漏离子注入区由第一N型阱‑N型源漏极结构构成，包括：在非功能区中设置的第一N型阱，在所述第一N型阱中设置的N型源漏极，位于所述N型源漏极之间的第一栅极，位于所述非功能区表面的第一介质层，以及位于所述第一介质层中且对应于所述N型源漏极的接触孔；所述光阻区由第二N型阱‑P型源漏极结构构成，包括：在非功能区中设置的第二N型阱，在所述第二N型阱中设置的P型源漏极，位于所述P型源漏极之间的第二栅极，位于非功能区表面的第二介质层，以及位于所述第二介质层中且对应于所述P型源漏极的接触孔；第一介质层和第二介质层位于同一层中；其中，在负电势电子束扫描模式下得到的电压衬度影像图中，所述第一N型阱‑N型源漏极结构对应的接触孔为暗孔，所述第二N型阱‑P型源漏极结构对应的接触孔为亮孔。
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