[发明专利]一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔在审
申请号: | 201410357204.0 | 申请日: | 2014-07-25 |
公开(公告)号: | CN104078398A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳;郭浩 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔,用于在晶圆进行刻蚀后、清洗前,对晶圆进行前置净化处理,通过在净化腔的腔体内环绕腔体竖直中心设置的若干顶部喷射枪和若干侧壁喷射枪,可从不同方向及可调整的角度和距离同时向晶圆支撑台上旋转的晶圆喷射净化气体,并通过腔体上方的抽气管将腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出,应用本发明的净化腔既可避免对晶圆、特别是对CD造成损伤,又可实现去除晶圆粘附的刻蚀副产物,从而消除了刻蚀副产物在等待清洗过程中与水反应产生的凝结物缺陷。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 刻蚀 副产物 凝结 缺陷 净化 | ||
【主权项】:
一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔,其特征在于,所述晶圆净化腔包括:腔体,所述腔体侧壁设有一个提供所述晶圆进出的窗口,所述腔体具有可与外部刻蚀机台腔体连通的接口;喷射枪系统,包括设于所述腔体内的环绕所述腔体竖直中心的若干顶部喷射枪和若干侧壁喷射枪,所述顶部喷射枪设于所述侧壁喷射枪的上方,所述顶部喷射枪和侧壁喷射枪分别通过活动支架连接所述腔体的侧壁,所述活动支架可带动所述顶部喷射枪、侧壁喷射枪在所述腔体内运动,所述喷射枪连通外部净化气源,所述喷射枪系统可通过所述喷射枪以不同方向及可调整的角度和距离朝向放置在所述腔体内的所述晶圆同时喷射净化气体,对所述晶圆进行净化处理,去除所述晶圆粘附的刻蚀副产物,以消除刻蚀副产物与水反应产生的凝结物缺陷;晶圆支撑台系统,包括设于所述腔体内的下方用于承载所述晶圆的晶圆支撑台,所述晶圆支撑台位于所述顶部喷射枪和所述侧壁喷射枪的下方,所述晶圆支撑台的下方中心设有转轴,所述转轴连接所述腔体外部的旋转及移动机构;抽气系统,设于所述腔体上方外部,并通过抽气管连通所述腔体内部,所述抽气管一端从所述腔体的上方伸入所述腔体内部,另一端连通外部气体回收装置,所述抽气系统通过所述抽气管将所述腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出,并排向所述气体回收装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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