[发明专利]自对准STI的形成方法在审
| 申请号： | 201410357232.2 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104091780A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 江润峰;戴树刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种自对准STI的形成方法，在传统工艺生长浅沟槽侧壁氧化层之后，再生长一层浅沟槽侧壁氮化硅层，随后对浅沟槽填充，并退火。本发明通过在浅沟槽侧壁增加生成一层结构更加致密、稳定的氮化硅层，可以有效阻止水汽或氧气分子的扩散，使得后续工艺退火时，水汽被致密的氮化硅层所阻止，避免水汽与硅衬底以及多晶硅浮栅反应生成二氧化硅，从而确保隧穿氧化硅层边缘厚度不再变厚，保证了产品的质量和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 sti 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准STI的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供一半导体衬底，并在衬底上依次生长隧穿氧化硅层、多晶硅浮栅层和氮化硅层；步骤S02，利用光刻工艺形成掩模图形，并依次刻蚀氮化硅层、多晶硅浮栅层、隧穿氧化硅层以及衬底，形成浅沟槽；步骤S03，生长浅沟槽侧壁氧化层；步骤S04，在该氧化层之上生长浅沟槽侧壁氮化硅层；步骤S05，对浅沟槽填充，并退火，自对准STI形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410357232.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：射频模块
- 下一篇：半导体制造的多平行动态流程控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
