[发明专利]包括控制电路的半导体器件在审
| 申请号： | 201410357497.2 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104347626A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | A.毛德;W.肖尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/739;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;胡莉莉 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 公开了一种包括控制电路的半导体器件。半导体器件包括具有主FET的半导体部分和控制电路。主FET包括栅极电极以控制通过源极区和漂移区之间的体区的电流流动。控制电路接收主FET单元的局部漂移区电位，并输出指示何时局部漂移区电位超过预设阈值的输出信号。当局部漂移区电位超过预设阈值时，控制电路可以调低或关闭主FET，并且/或者可以输出过流指示信号。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 控制电路 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：主场效应晶体管，包括被配置为控制通过半导体部分中的体区在源极区和漂移区之间的电流流动的栅极电极；以及控制电路，被配置为接收主场效应晶体管单元的局部漂移区电位并输出指示何时所述局部漂移区电位超过预设阈值的输出信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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