[发明专利]一种正装倒置芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201410357717.1 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104091865A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 胡溢文 | 申请（专利权）人： | 胡溢文 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 215122 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及LED封装技术领域，具体地说是一种正装倒置芯片的制备方法，选取外延片，在外延片表面涂布光刻胶，对外延片进行光罩破光，去除外延片表面电极点的光刻胶，在外延片表面电极点处印刷锡膏并将锡膏熔花成锡球，将若干个锡球表面磨平，使若干个锡球的高度相同，将外延片表面剩余的光刻胶全部去除，将外延片减薄，将外延片切割并裂片，形成若干块芯片。本发明同现有技术相比，设计了正装倒置芯片的制备方法，先在外延片上光罩破光，再植锡球并磨成相同高度，最后对外延片进行减薄、切割和裂片，在后续芯片与基板表面的印刷电路焊接时，保证了锡球能够分别与芯片电极和印刷电路连接，从而提高了芯片与印刷电路的导通性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒置 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种正装倒置芯片的制备方法，其特征在于：按照如下步骤制备： 步骤1，选取外延片，在外延片表面涂布光刻胶； 步骤2，对外延片进行光罩破光； 步骤3，去除外延片表面电极点的光刻胶； 步骤4；在外延片表面电极点处印刷锡膏并将锡膏熔化成锡球； 步骤5，将若干个锡球表面磨平，使若干个锡球的高度相同； 步骤6，将外延片表面剩余的光刻胶全部去除； 步骤7，将外延片减薄； 步骤8，将外延片切割并裂片，形成若干块芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胡溢文，未经胡溢文许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410357717.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
