[发明专利]一种太阳能硅片切割工艺无效

专利信息
申请号: 201410358445.7 申请日: 2014-07-25
公开(公告)号: CN104118069A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 张力峰 申请(专利权)人: 苏州晶樱光电科技有限公司
主分类号: B28D5/04 分类号: B28D5/04;B28D7/00
代理公司: 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 代理人: 陈晓岷
地址: 215612 江苏省苏州市张*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种太阳能硅片切割工艺,其包括以下步骤:A、将碳化硅与DEG切割液按照重量比1:0.9-1:1.2的范围加入配置罐内进行搅拌至少三个小时,搅拌持续要砂浆用完为止:B、将配置好的砂浆加入多线切割机的浆料罐中,利用多线切割机对硅棒进行切割,在切割时利用冷却水先对砂浆冷却到18-20℃之间,然后再加入硅棒切割位置;C、将切割好的硅片利用清洁水进行预清洗;D、将预清洗后的硅片放入到清洗机中进行再次清洗,清洗时添加清洗剂去除DEG切割液残留和其他杂质;E、对硅片进行检测后包装。该切割工艺利用DEG切割液与碳化硅混合成砂浆进行切片,无需对碳化硅进行烘烤,避免抱团现象,同时便于清洗,减少清洁水和化学清洗液的用量。
搜索关键词: 一种 太阳能 硅片 切割 工艺
【主权项】:
一种太阳能硅片切割工艺,其包括以下步骤:A、砂浆的配置:将碳化硅与DEG切割液按照重量比1:0.9‑1:1.2的范围加入配置罐内进行搅拌至少三个小时,搅拌持续要砂浆用完为止:B、将配置好的砂浆加入多线切割机的浆料罐中,利用多线切割机对硅棒进行切割,在切割时利用冷却水先对砂浆冷却到18‑20℃之间,然后再加入硅棒切割位置;C、将切割好的硅片利用清洁水进行预清洗;D、将预清洗后的硅片放入到清洗机中进行再次清洗,清洗时添加清洗剂去除DEG切割液残留和其他杂质;E、对硅片进行检测后包装。
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