[发明专利]含碳物质气化方法、超临界处理装置及含碳物质气化系统有效
| 申请号： | 201410359422.8 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104130804A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 程乐明;赵晓;王青;高志远;宋成才;曹雅琴;宋庆峰;史金涛 | 申请（专利权）人： | 新奥科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C10J3/46 | 分类号： | C10J3/46;C10J3/48;C10J3/72 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 李桦 |
| 地址： | 065001 河北省廊坊市经济*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开一种含碳物质气化方法、超临界处理装置及含碳物质气化系统，涉及含碳物质气化技术领域，为解决含碳物质气化后转化率以及产物中甲烷的产物产率较低的问题而发明。所述含碳物质气化方法，包括，将含碳反应原料在第一超临界状态下进行一级超临界气化反应；使一级超临界反应的反应产物在第二超临界状态下进行二级超临界气化反应；其中，所述第一超临界状态为22.1-40Mpa和500℃-1000℃，所述第二超临界状态为22.1-40Mpa和374-600℃，且所述第一超临界状态的温度高于所述第二超临界状态的温度。本发明含碳物质气化方法以及超临界处理装置用于煤或其他含碳物质气化。 | ||
| 搜索关键词： | 物质 气化 方法 临界 处理 装置 系统 | ||
【主权项】：
一种含碳物质气化方法，其特征在于，包括：将含碳反应原料在第一超临界状态下进行一级超临界气化反应；使一级超临界反应的反应产物在第二超临界状态下进行二级超临界气化反应；其中，所述第一超临界状态为22.1‑40Mpa和500℃‑1000℃，所述第二超临界状态为22.1‑40Mpa和374‑600℃，且所述第一超临界状态的温度高于所述第二超临界状态的温度。
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